Le SoC Snapdragon 8 Gen 2 de Qualcomm est le chipset le plus récent et le plus puissant de la société. Il a été utilisé récemment dans certains des nouveaux smartphones haut de gamme, tels que le OnePlus 11 5G, l’iQoo 11 5G et la série Samsung Galaxy S23 dont on parle beaucoup. Selon de récentes fuites, les principales spécifications du prochain SoC Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3 ont été révélées. Le nouveau chipset devrait offrir des améliorations significatives par rapport à son prédécesseur, le Snapdragon 8 Gen 2, en termes de puissance de traitement, de capacités graphiques et d’efficacité énergétique.
Selon un fuite par RGcloudS (@RGcloudS), Qualcomm lancera le chipset Snapdragon 8 Gen 3 avec la même disposition de processeur que le Snapdragon 8 Gen 2, qui a la configuration 1+4+3. Maintenant, selon un nouveau rapport, la société augmente le nombre de cœurs de performance tout en sacrifiant un cœur d’efficacité avec une nouvelle configuration 1+5+2.
Fuite Revegnus( @Tech_Reve) suggéré que le chipset Snapdragon 8 Gen 3 aurait un seul cœur Cortex-X4 fonctionnant à 3,2 GHz. Il aura cinq cœurs Cortex-A720 fonctionnant à 3,0 GHz et deux cœurs Cortex-A520 fonctionnant à 2,0 GHz. C’est beaucoup plus probable, car un autre fuite a prédit que le processeur Snapdragon 8 Gen 3 nécessitera tous les cœurs de performance qu’il peut obtenir pour atteindre 1 930/6 236 points dans les tests monocœur et multicœur de Geekbench.
La mémoire UFS 4.1, la RAM LPDDR5 7 500 MT/s, un GPU Adreno 750 et un modem Qualcomm X75 5G font partie des autres spécifications du chipset Snapdragon 8 Gen 3. Selon la fuite, le Snapdragon 8 Gen 3 sera construit sur le nœud de processus N4P de TSMC, ce qui implique que trois générations de produits phares de Qualcomm seront verrouillées sur ce qui est en fait de multiples variantes du nœud N5 de TSMC.
Les grandes améliorations de performances mentionnées ci-dessus nécessiteront probablement plus qu’un avancement de nœud mineur. Le Snapdragon 8 Gen 3 est une puce de 3 nm qui devrait être produite sur le nœud de pointe de Samsung ou de TSMC, ou sur le nœud de pointe de Samsung et de TSMC.
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